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      半導體(SEMI)附膜晶圓應力檢測的應用

      發布時間: 2022-05-07  點擊次數: 836次

      工藝介紹

      在高溫環境中,由于化學氣相沉積(CVD)的涂層與晶圓的膨脹率不同,容易產生局部形變,形變則會產生應力,在多層的反復加工中應力會越來越大,最終導致晶圓損壞報廢。

      因此化學氣相沉積(CVD)鍍膜的細分工位通常使用激光退火的方式來消除應力,最后通過應力檢測機確認消除效果,以此形成應力把控的閉環。

      case_6_1.jpg


      設備前端模塊(EFEM)將晶圓送入測量腔內,隨后晶圓經翻轉運輸至干涉儀的測量視野范圍中檢測形變量,通過應力計算判定退火品質后,再翻轉運輸至設備前端模塊(EFEM)進行OK/NG的分類。

      課題

      1、如何精準地采集實時溫度

      目前時域中常見的濾波方式,平均值(AVE)方式穩定性好,可抗干擾差;中位值(MED)方式抗干擾好,可穩定性差,在輸入干擾較大的情況下,用以上任意一種濾波難以精準獲取到實時的溫度值。

      case_6_3.jpg

      2、如何快速響應細微的溫度變化趨勢?


      解決方案

      1、經驗分布統計+專業的建模計算,推算批量數據

      通過有限的溫度采樣值,例如中心的基準溫度值、變化趨勢、判定區間,并使用大數據仿真確定了更為合適的RMS濾波算法,最后經過經驗分布函數推算/模擬出大量的實時溫度數據。

      case_6_4.jpg

      2、通過數學期望算法,實時估算基準值

      首先建立數學期望模型,然后采集開始檢測的溫度值(過濾后),最后通過一系列的推算,在動態測量中預估出基準溫度值。

      case_6_5.jpg


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